Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7, страницы 935–938 (Mi phts7966)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdO–$p$-InSe

В. Н. Катеринчукa, З. Р. Кудринскийa, В. В. Хомякb, И. Г. Орлецкийb, В. В. Нетягаa

a Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев
b Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
PDF полного текста (492 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Впервые изготовлены анизотипные гетеропереходы $n$-CdO–$p$-InSe на основе слоистых кристаллов InSe. Исследованы температурные зависимости вольт-амперных характеристик гетеропереходов и определены механизмы токопрохождения через барьер при прямом и обратном смещениях. Установлена область их фоточувствительности.
Поступила в редакцию: 11.10.2012
Принята в печать: 20.10.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 7, Pages 943–946
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613070099
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Катеринчук, З. Р. Кудринский, В. В. Хомяк, И. Г. Орлецкий, В. В. Нетяга, “Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdO–$p$-InSe”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 935–938; Semiconductors, 47:7 (2013), 943–946
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KatKudKho13}
\by В.~Н.~Катеринчук, З.~Р.~Кудринский, В.~В.~Хомяк, И.~Г.~Орлецкий, В.~В.~Нетяга
\paper Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdO--$p$-InSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 935--938
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7966}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319492}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 943--946
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613070099}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7966
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i7/p935
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025