Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7, страницы 939–943 (Mi phts7967)  
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Терагерцовая электролюминесценция сверхрешеток Фибоначчи

К. В. Малышев

Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана
PDF полного текста (1022 kB) Английская версия
Аннотация: Теоретически исследована электролюминесценция в терагерцовом диапазоне фибоначчиевых AlGaAs-сверхрешеток. В электрических полях $F$ = 11–13 кВ/см в диапазоне частот $f$ = 2–4 ТГц обнаружено линейное поведение коэффициента оптического усиления $G$ и многоцветное излучение с пиками $G$ выше 20 1/см без сопутствующих пиков поглощения. Параметрами пиков удобно управлять с помощью электрического поля, а также меняя толщину слоев сверхрешетки. Такие излучатели на квазипериодических сверхрешетках перспективны для “терагерцовой технологии”.
Поступила в редакцию: 27.06.2012
Принята в печать: 22.10.2012
Английская версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 7, Pages 947–951
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613070178
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. В. Малышев, “Терагерцовая электролюминесценция сверхрешеток Фибоначчи”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 939–943; Semiconductors, 47:7 (2013), 947–951
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Mal13}
\by К.~В.~Малышев
\paper Терагерцовая электролюминесценция сверхрешеток Фибоначчи
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 939--943
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7967}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319493}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 947--951
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613070178}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7967
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i7/p939
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026