Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7, страницы 985–989 (Mi phts7974)  
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем

Н. А. Малеевab, А. Г. Кузьменковab, М. М. Кулагинаa, Ю. М. Задирановa, А. П. Васильевa, С. А. Блохинab, А. С. Шуленковc, С. И. Трошковa, А. Г. Гладышевb, А. М. Надточийa, М. М. Павловab, М. А. Бобровab, Д. Е. Назарукa, В. М. Устиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
c Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов
PDF полного текста (1676 kB) Список цитирования (14)
Аннотация: Реализованы пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм с верхним (выводным) неплоским диэлектрическим распределенным брэгговским отражателем. Предложенная конструкция обеспечивает стабильную одномодовую генерацию во всем диапазоне рабочих токов, ограниченном перегревом активной области. Приборы с внутрирезонаторными контактами и относительно большим диаметром токовой апертуры (5–6 мкм) демонстрируют пространственно-одномодовую лазерную генерацию на длине волны 840–845 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре с пороговыми токами 1.2–1.3 мА, дифференциальной эффективностью 0.5–0.55 мВт/мА и выходной мощностью до 2 мВт.
Поступила в редакцию: 17.10.2012
Принята в печать: 24.10.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 7, Pages 993–996
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613070166
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, А. П. Васильев, С. А. Блохин, А. С. Шуленков, С. И. Трошков, А. Г. Гладышев, А. М. Надточий, М. М. Павлов, М. А. Бобров, Д. Е. Назарук, В. М. Устинов, “Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 985–989; Semiconductors, 47:7 (2013), 993–996
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalKuzKul13}
\by Н.~А.~Малеев, А.~Г.~Кузьменков, М.~М.~Кулагина, Ю.~М.~Задиранов, А.~П.~Васильев, С.~А.~Блохин, А.~С.~Шуленков, С.~И.~Трошков, А.~Г.~Гладышев, А.~М.~Надточий, М.~М.~Павлов, М.~А.~Бобров, Д.~Е.~Назарук, В.~М.~Устинов
\paper Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 985--989
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7974}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319500}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 993--996
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613070166}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7974
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i7/p985
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025