Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7, страницы 990–996 (Mi phts7975)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций

Г. Б. Галиевa, С. С. Пушкаревab, И. С. Васильевскийb, Е. А. Климовa, Р. М. Имамовc

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
PDF полного текста (867 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: Предложены и реализованы две новые конструкции метаморфного буфера, представляющие собой модификации линейного метаморфного буфера In$_x$Al$_{1-x}$As за счет групп слоев с отличающимися параметрами решетки, и позволяющие влиять на релаксацию метаморфного буфера. Также проведены исследования структурных и электрофизических характеристик полученных метаморфных НЕМТ-наногетероструктур.
Поступила в редакцию: 11.09.2012
Принята в печать: 17.09.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 7, Pages 997–1002
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613070075
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, Р. М. Имамов, “Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 990–996; Semiconductors, 47:7 (2013), 997–1002
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GalPusVas13}
\by Г.~Б.~Галиев, С.~С.~Пушкарев, И.~С.~Васильевский, Е.~А.~Климов, Р.~М.~Имамов
\paper Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 990--996
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7975}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319501}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 997--1002
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613070075}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7975
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i7/p990
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025