Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7, страницы 997–1001 (Mi phts7976)  
Эта публикация цитируется в 25 научных статьях (всего в 25 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Свойства тонких пленок Sb$_2$S$_3$ и Sb$_2$Sе$_3$, полученных методом импульсной лазерной абляции

И. С. Виртab, И. А. Рудыйc, И. В. Курилоc, И. Е. Лопатинскийc, Л. Ф. Линникd, В. В. Тетёркинd, П. Потераb, Г. Лукаe

a Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко
b Жешувский университет, Жешув, Республика Польша
c Национальный университет ``Львовская политехника''
d Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
e Институт физики Польской академии наук, Варшава, Республика Польша
PDF полного текста (849 kB) Список цитирования (25)
Аннотация: Исследованы свойства тонких пленок Sb$_2$S$_3$ и Sb$_2$Sе$_3$ переменной толщины, осажденных на подложки Al$_2$O$_3$, Si и KCl при помощи метода импульсной лазерной абляции. Образцы получены при температуре подложек 180$^\circ$C в вакууме 10$^{-5}$ мм рт. ст. Толщина пленок составляла 40–1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследована методами рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок исследованы в температурном интервале 253–310 K. Показано, что пленки характеризуются полупроводниковыми свойствами. Структурные особенности пленок определяют их оптические параметры.
Поступила в редакцию: 01.10.2012
Принята в печать: 20.10.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 7, Pages 1003–1007
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613070233
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. С. Вирт, И. А. Рудый, И. В. Курило, И. Е. Лопатинский, Л. Ф. Линник, В. В. Тетёркин, П. Потера, Г. Лука, “Свойства тонких пленок Sb$_2$S$_3$ и Sb$_2$Sе$_3$, полученных методом импульсной лазерной абляции”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 997–1001; Semiconductors, 47:7 (2013), 1003–1007
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VirRudKur13}
\by И.~С.~Вирт, И.~А.~Рудый, И.~В.~Курило, И.~Е.~Лопатинский, Л.~Ф.~Линник, В.~В.~Тетёркин, П.~Потера, Г.~Лука
\paper Свойства тонких пленок Sb$_2$S$_3$ и Sb$_2$Sе$_3$, полученных методом импульсной лазерной абляции
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 997--1001
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7976}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319502}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 1003--1007
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613070233}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7976
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i7/p997
    • Эта публикация цитируется в следующих 25 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025