Влияние температуры и легирования редкоземельными элементами на подвижность носителей заряда в кристаллах моноселенида индия

В диапазоне температур $T$ = 77–600 K экспериментально исследована зависимость подвижности носителей тока $(\mu)$ от исходного темнового удельного сопротивления при 77 K $(\rho_{d0})$, температуры и уровня легирования $(N)$ редкоземельными элементами типа гадолиния (Gd), гольмия (Ho), диспрозия (Dy) в кристаллах моноселенида индия (InSe) $n$-типа проводимости. Установлено, что обнаруженные с точки зрения теории подвижности носителей тока в кристаллических полупроводниках аномалии в зависимостях $\mu(T)$, $\mu(\rho_{d0})$ и $\mu(N)$ связаны прежде всего с частичной неупорядоченностью кристаллов моноселенида индия и удовлетворительно могут объясняться наличием в свободных энергетических зонах хаотических дрейфовых барьеров.