Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 8, страницы 1014–1021 (Mi phts7980)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон

Н. К. Морозоваa, А. А. Канахинa, И. Н. Мирошниковаa, В. Г. Галстянb

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
Аннотация: Исследованы спектры микрокатодолюминесценции и фотоотражения слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом до 4 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$. Методика съемки спектров микрокатодолюминесценции давала информацию из объема легированного слоя. Получены экситонные спектры микрокатодолюминесценции, которые определяют концентрацию растворенного кислорода в слоях CdS(O) и влияние отклонения от стехиометрии подложек. В режиме катодолюминесценции растрового электронного микроскопа КЛ РЭМ исследована однородность ионно-легированных слоев. Установлено возникновение светящихся участков, которые обязаны полосе $\sim$ 630 нм. Выяснена причина усиления этой микрокатодолюминесценции при радиационном отжиге и подтверждена ее природа как свечение центров F$^+$ в CdS. Получены новые результаты по спектрам фотоотражения, которые описывают особенности поведения кислорода как изоэлектронной примеси типа HMAs на поверхности слоев. Показано, что сера полностью связывает и удаляет кислород из CdS(O). Чистый по кислороду CdS остается на поверхности в виде наночастиц, размер которых зависит от концентрации кислорода в слое. Результаты не противоречат теории антипересекающихся зон.
Поступила в редакцию: 27.08.2012
Принята в печать: 12.09.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 8, Pages 1018–1025
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613080149
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. К. Морозова, А. А. Канахин, И. Н. Мирошникова, В. Г. Галстян, “Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1014–1021; Semiconductors, 47:8 (2013), 1018–1025
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorKanMir13}
\by Н.~К.~Морозова, А.~А.~Канахин, И.~Н.~Мирошникова, В.~Г.~Галстян
\paper Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 8
\pages 1014--1021
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7980}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319523}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 8
\pages 1018--1025
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613080149}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7980
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i8/p1014
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025