Особенности напряженно-деформированного состояния гетероструктур Si/SiO$_2$/Ge с наноостровками германия предельной плотности

В рамках модели упругого континуума с использованием метода конечных элементов выполнены расчеты напряженно-деформированного состояния кремний-германиевых гетероструктур с полусферическими островками германия, выращенными на окисленной поверхности кремния. Показано, что при увеличении плотности островков до предельных значений в SiGe-структуре с открытыми квантовыми точками существенно изменяются величина и пространственное распределение полей упругих деформаций. Результаты теоретических расчетов позволяют выявить участки гетероструктуры с максимальным изменением напряженно-деформированного состояния, местоположение которых можно варьировать изменением плотности островков.