|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 8, страницы 1033–1036
(Mi phts7983)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства
А. Д. Буравлёвabc, В. Н. Неведомскийa, Е. В. Убыйвовкd, В. Ф. Сапегаa, А. И. Хребтовb, Ю. Б. Самсоненкоabc, Г. Э. Цырлинabcd, В. М. Устиновa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация:
Самоупорядоченные квантовые точки (In,Mn)As синтезированы с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001). Результаты измерений, полученных с помощью просвечивающей электронной микроскопии, показали, что легирование Mn центральной части квантовых точек не приводит к образованию структурных дефектов. Изучены оптические свойства образцов, в том числе во внешнем магнитном поле.
Поступила в редакцию: 20.12.2012 Принята в печать: 25.12.2012
Образец цитирования:
А. Д. Буравлёв, В. Н. Неведомский, Е. В. Убыйвовк, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов, “Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1033–1036; Semiconductors, 47:8 (2013), 1037–1040
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7983 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i8/p1033
|
|