Отражение света от брэгговской решетки металлических нановключений AsSb в матрице AlGaAs

Исследовались оптические свойства металлополупроводниковых метаматериалов на основе матрицы AlGaAs. Особенностью этих материалов явилось наличие массивов нановключений As и AsSb, модифицирующих диэлектрические свойства материала. Эти нановключения располагались в среде хаотически или образовывали брэгговскую структуру с максимумом отражения на длине волны вблизи 750 нм, соответствующей области прозрачности матрицы. Изучены спектры отражения $s$- и $p$-поляризованного света при разных углах падения. Показано, что массивы нановключений As слабо влияют на оптические свойства среды в изученном диапазоне длин волн 700–900 нм, хаотические массивы нановключений AsSb вызывают сильное рассеяние света, а пространственная периодичность в расположении нановключений AsSb вызывает брэгговский резонанс в отражении света.