Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 8, страницы 1065–1070 (Mi phts7988)  

Углеродные системы

Упругие и диэлектрические характеристики графеноподобных соединений A$_N$–B$_{8-N}$

С. Ю. Давыдов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Методом связывающих орбиталей Харрисона рассмотрены графен, силицен, гексагональный нитрид бора и еще 14 гипотетических графеноподобных структур бинарных соединений IV–IV, III–V, II–VI. Получены аналитические выражения для силовых констант центрального $(k_0)$ и нецентрального $(k_1)$ взаимодействий, линейных диэлектрических восприимчивостей электронной ($\chi^{\mathrm{el}}_1)$ и ионной $(\chi^{\mathrm{ion}}_1)$ подсистем. Расчеты показали, что в рамках использованной расчетной схемы двумерная гексагональная структура для ZnS и ZnSe не реализуется $(k_1<0)$. Сопоставление (там, где это возможно) вычисленных значений силовых констант и диэлектрических проницаемостей (высокочастотной, $\varepsilon_\infty$, и статической, $\varepsilon_0$) с их значениями для соответствующих трехмерных соединений показывает, что полученные нами результаты вполне разумны.
Поступила в редакцию: 04.03.2012
Принята в печать: 04.04.2012
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Упругие и диэлектрические характеристики графеноподобных соединений A$_N$–B$_{8-N}$”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1065–1070
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav13}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Упругие и диэлектрические характеристики графеноподобных соединений A$_N$--B$_{8-N}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 8
\pages 1065--1070
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7988}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319531}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7988
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i8/p1065
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025