Переходные процессы в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах

Теоретически и экспериментально исследованы особенности переходных процессов в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах. Показано, что в хорошем согласии с экспериментальными результатами процесс выключения из активного режима в широком диапазоне температур может быть описан с помощью полученного в работе простого аналитического выражения. Процесс включения транзистора, после которого он оказывается в активном режиме, хорошо описывается простой экспоненциальной зависимостью. При этом постоянная времени включения определяется средним значением коллекторной емкости до и после включения. Предложена численная модель, основанная на простой и физически прозрачной эквивалентной схеме, позволяющая в хорошем согласии с экспериментом описать оба переходных процесса, включения и выключения, в SiC биполярном транзисторе, как в активном режиме, так и в режиме насыщения.