Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенсации внутренних механических напряжений в гетероструктуре AlGaAs(P)/GaAs

Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры AlGaAsP/GaAs как без компенсации, так и с компенсацией внутренних механических напряжений путем введения в различные слои гетероструктуры фосфора, изменяющего параметр решетки слоя и тем самым влияющего на величину внутренних напряжений во всей лазерной гетероструктуре. Из структур изготовлены многомодовые мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 850 нм, и исследованы их свойства. Показано, что структуры с компенсацией внутренних механических напряжений обладают линейностью ватт-амперной характеристики вплоть до токов накачки, соответствующих максимальной выходной мощности. Также структуры с компенсацией внутренних механических напряжений имеют более высокие значения характеристических температур $T_0$ и $T_1$ по сравнению со структурой без компенсации внутренних механических напряжений.