Полупроводниковые лазеры (1020–1100 нм) с асимметричным расширенным одномодовым волноводом на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

Теоретически и экспериментально были исследованы подходы к созданию лазерных гетероструктур с расширенным одномодовым волноводом. Показано, что использование $n$- и $p$-эмиттеров с различными значениями показателей преломления обеспечивает генерацию только фундаментальной моды при толщине волноводного слоя 2 мкм. Исследованные полупроводниковые лазеры, изготовленные на основе разработанной гетероструктуры, демонстрировали внутренние оптические потери 0.6 см$^{-1}$ и расходимость излучения в плоскости, перпендикулярной $p$–$n$-переходу, 23$^\circ$. В непрерывном режиме генерации при комнатной температуре получена линейная ватт-амперная характеристика до выходной оптической мощности 7 Вт.