Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/$p^+$-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод

Для исследования и разработки новой компонентной базы кремниевой электроники проведен анализ электрофизических явлений в структуре металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) при переводе ее размерных параметров в нанометровый диапазон благодаря увеличению уровня легирования дырочного Si до $N_A\sim$ 10$^{19}$ см$^{-3}$ и уменьшению толщины окисла до 0.4–4.0 нм. В результате становится возможным с помощью относительно небольшого (единицы вольт) запирающего напряжения создать необходимые и достаточные условия для резонансного туннелирования электронов. Это приводит к трансформации МДП конденсатора в резонансно-туннельный диод, которая сопровождается принципиальным расширением свойств и функций МДП наноструктуры.