Исследование свойств солнечных элементов на основе $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$-структур с помощью спектроскопии полной проводимости

Проведены исследования свойств солнечных элементов на основе $a$-Si : H-$p$–$i$–$n$-структур с помощью метода спектроскопии полной проводимости. В спектрах полной проводимости выделены отклики плотности состояний в слоях $(i)a$-Si : H и находящихся в $p$-области структуры слоях $a$-SiС : H. Оценка величины плотности состояний в середине щели подвижности $(i)a$-Si : H дала значение 5 $\cdot$ 10$^{16}$ cм$^{-3}$ $\cdot$ эВ$^{-1}$. Показано, что в процессе фотоиндуцированной деградации происходит рост этой величины до значений $\sim$ 10$^{17}$ cм$^{-3}$ $\cdot$ эВ$^{-1}$. Для широкозонных слоев $a$-SiC : H наблюдавшийся отклик плотности состояний в хвостах валентной зоны позволил дать оценку нижней границы этой величины на уровне Ферми (10$^{18}$ cм$^{-3}$ $\cdot$ эВ$^{-1}$) и определить его положение: на 0.4 эВ выше края валентной зоны. Предложенная методика может быть использована для оптимизации конструкции солнечных элементов с целью повышения их кпд.