Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 8, страницы 1116–1121 (Mi phts7996)  
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Особенности дефектообразования в процессах выращивания двойных гетероструктур для инжекционных лазеров на базе материалов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$Sb$_{1-y}$/GaSb

Г. Ф. Кузнецов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (5968 kB)
Аннотация: Отсутствие дефектов кристаллической решeтки и, в особенности, отсутствие дислокаций в активном слое в сложных многослойных гетероэпитаксиальных системах является главным условием для эффективной и надeжной работы оптоэлектронных микроприборов. Минимальные упругие напряжения в многослойных гетероэпитаксиальных системах и их отсутствие в активном слое при той повышенной температуре, которая возникает в эффективно работающем электронном приборе, является вторым необходимым условием для периода его долговременной работы.
Поступила в редакцию: 03.09.2012
Принята в печать: 08.10.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 8, Pages 1110–1115
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613080125
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Ф. Кузнецов, “Особенности дефектообразования в процессах выращивания двойных гетероструктур для инжекционных лазеров на базе материалов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$Sb$_{1-y}$/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1116–1121; Semiconductors, 47:8 (2013), 1110–1115
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kuz13}
\by Г.~Ф.~Кузнецов
\paper Особенности дефектообразования в процессах выращивания двойных гетероструктур для инжекционных лазеров на базе материалов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$Sb$_{1-y}$/GaSb
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 8
\pages 1116--1121
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7996}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319539}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 8
\pages 1110--1115
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613080125}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7996
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i8/p1116
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025