Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением

Исследовано влияние температуры отжига на вольт-амперные, вольт-фарадные, вольт-сименсные характеристики и прозрачность пленок оксида галлия. Пленки получали термическим испарением порошка Ga$_2$O$_3$ с осаждением на пластины $n$-GaAs. Показано, что аморфные после напыления пленки кристаллизуются в результате отжига при температурах $T_{\mathrm{an}}\ge$ 800$^\circ$C. Электрические характеристики и фотоотклик образцов V/Ni–GaAs–Ga$_x$O$_y$–V/Ni при воздействии излучением видимого диапазона зависят от структуры и фазового состава пленок оксида галлия.