Особенности механизмов проводимости полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Rh

Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Rh, в диапазонах температур $T$ = 80–400 K, концентраций акцепторов $N_A^{\mathrm{Rh}}\approx$ 9.5 $\cdot$ 10$^{19}$ – 1.9 $\cdot$ 10$^{21}$ см$^{-3}$ ($x$ = 0.005–0.10) и в магнитных полях $H\le$ 10 кГс. Установлено, что легирование сопровождается одновременным уменьшением концентрации, ликвидацией структурных дефектов донорной природы (до $x\approx$ 0.02) и увеличением концентрации структурных дефектов акцепторной природы (0 $<x\le$ 0.10). Выявлена зависимость степени компенсации полупроводника от температуры. Предложена модель пространственного расположения атомов в HfNi$_{1-x}$Rh$_x$Sn, а основанные на ней результаты расчета электронной структуры согласуются с результатами исследований кинетических и магнитных характеристик полупроводника. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.