|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1165–1168
(Mi phts8004)
|
|
|
|
Электронные свойства полупроводников
Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении
А. С. Батыревa, Р. А. Бисенгалиевa, Б. В. Новиковb, М. О. Тагировa a Калмыцкий государственный университет,
358000 Элиста, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация:
Исследованы низкотемпературные (77 K) спектры фотопроводимости кристаллов CdS на различных частотах модуляции фотовозбуждения. Получен эффект трансформации спектральной кривой фотопроводимости типа 1 в кривую типа 2 при переходе от немодулированного к модулированному возбуждению фотопроводимости. Предложена модель формирования тонкой (экситонной) структуры в спектрах модулированного возбуждения фотопроводимости полупроводника.
Поступила в редакцию: 01.11.2012 Принята в печать: 10.12.2012
Образец цитирования:
А. С. Батырев, Р. А. Бисенгалиев, Б. В. Новиков, М. О. Тагиров, “Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1165–1168; Semiconductors, 47:9 (2013), 1153–1156
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8004 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i9/p1165
|
|