Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1165–1168 (Mi phts8004)  

Электронные свойства полупроводников

Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении

А. С. Батыревa, Р. А. Бисенгалиевa, Б. В. Новиковb, М. О. Тагировa

a Калмыцкий государственный университет, 358000 Элиста, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация: Исследованы низкотемпературные (77 K) спектры фотопроводимости кристаллов CdS на различных частотах модуляции фотовозбуждения. Получен эффект трансформации спектральной кривой фотопроводимости типа 1 в кривую типа 2 при переходе от немодулированного к модулированному возбуждению фотопроводимости. Предложена модель формирования тонкой (экситонной) структуры в спектрах модулированного возбуждения фотопроводимости полупроводника.
Поступила в редакцию: 01.11.2012
Принята в печать: 10.12.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 9, Pages 1153–1156
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613090042
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Батырев, Р. А. Бисенгалиев, Б. В. Новиков, М. О. Тагиров, “Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1165–1168; Semiconductors, 47:9 (2013), 1153–1156
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BatBisNov13}
\by А.~С.~Батырев, Р.~А.~Бисенгалиев, Б.~В.~Новиков, М.~О.~Тагиров
\paper Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1165--1168
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8004}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319547}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1153--1156
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613090042}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8004
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i9/p1165
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025