Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1181–1184 (Mi phts8007)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа

П. Н. Брунков, В. В. Гончаров, М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, Н. Ю. Гордеев, В. М. Лантратов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. В. Соколов, С. Г. Конников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (826 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: С помощью метода сканирующей кельвин-зондовой микроскопии показано, что при взаимодействии зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью $n$-GaAs наблюдается эффект трибоэлектризации. Знак изменения потенциала указывает на то, что поверхность образца после трибоэлектризации становится заряженной более отрицательно. Обнаруженные закономерности этого эффекта качественно могут быть объяснены термически активированной генерацией точечных дефектов в приповерхностных слоях образца, деформированных из-за взаимодействия с зондом.
Поступила в редакцию: 24.01.2013
Принята в печать: 29.01.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 9, Pages 1170–1173
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613090054
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. Н. Брунков, В. В. Гончаров, М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, Н. Ю. Гордеев, В. М. Лантратов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. В. Соколов, С. Г. Конников, “Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1181–1184; Semiconductors, 47:9 (2013), 1170–1173
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BruGonRud13}
\by П.~Н.~Брунков, В.~В.~Гончаров, М.~Э.~Рудинский, А.~А.~Гуткин, Н.~Ю.~Гордеев, В.~М.~Лантратов, Н.~А.~Калюжный, С.~А.~Минтаиров, Р.~В.~Соколов, С.~Г.~Конников
\paper Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1181--1184
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8007}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319550}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1170--1173
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613090054}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8007
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i9/p1181
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025