Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1204–1209 (Mi phts8011)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)

М. М. Мездрогина, Л. С. Костина, Е. И. Белякова, Р. В. Кузьмин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследованы cпектры фотолюминесценции и электролюминесценции структур на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием редкоземельными металлами (Er, Eu). Показано, что в структурах типа $n$-Si/Er/$p$-Si, $n$-Si/Eu/$p$-Si, изготовленных предложенным в работе методом, может быть реализовано излучение в видимой и инфракрасной областях спектра. Полученные результаты определяют перспективу использования данного метода для создания оптоэлектронных приборов.
Поступила в редакцию: 06.12.2012
Принята в печать: 14.12.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 9, Pages 1193–1197
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613090157
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. М. Мездрогина, Л. С. Костина, Е. И. Белякова, Р. В. Кузьмин, “Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1204–1209; Semiconductors, 47:9 (2013), 1193–1197
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MezKosBel13}
\by М.~М.~Мездрогина, Л.~С.~Костина, Е.~И.~Белякова, Р.~В.~Кузьмин
\paper Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1204--1209
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8011}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319554}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1193--1197
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613090157}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8011
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i9/p1204
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025