|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1204–1209
(Mi phts8011)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)
М. М. Мездрогина, Л. С. Костина, Е. И. Белякова, Р. В. Кузьмин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы cпектры фотолюминесценции и электролюминесценции структур на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием редкоземельными металлами (Er, Eu). Показано, что в структурах типа $n$-Si/Er/$p$-Si, $n$-Si/Eu/$p$-Si, изготовленных предложенным в работе методом, может быть реализовано излучение в видимой и инфракрасной областях спектра. Полученные результаты определяют перспективу использования данного метода для создания оптоэлектронных приборов.
Поступила в редакцию: 06.12.2012 Принята в печать: 14.12.2012
Образец цитирования:
М. М. Мездрогина, Л. С. Костина, Е. И. Белякова, Р. В. Кузьмин, “Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1204–1209; Semiconductors, 47:9 (2013), 1193–1197
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8011 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i9/p1204
|
|