Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1210–1214 (Mi phts8012)  
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция наноструктурированного CdTe

В. Бабенцовa, Ф. Сизовa, J. Francb, А. Лученкоa, Е. Свеженцоваa, З. Цибрийa

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Institute of Physics, Faculty of Mathematics and Physics, Charles University, Prague CZ 121 16, Czech Republic
PDF полного текста (1277 kB)
Аннотация: Исследованы низкоразмерные наностержни CdTe диаметром 10–30 нм и с высоким характеристическим соотношением размеров, достигающим 100. Наностержни были выращены методом физического транспорта через газовую фазу с использованием преципитатов Bi на подложках. Также были выращены тонкие пленки из плотноупакованных гексагональных наностержней CdTe с поперечными размерами $\sim$ (100–200) нм. Атомно-силовая микроскопия показала, что все наностержни в сечении имели шестиугольную форму. При помощи измерений фотолюминесценции мы подтвердили наличие структуры вюрцита CdTe, проанализировали его структурное качество, электрон-фононные связи и дефекты. На основании расчетов из первых принципов проанализирована природа дефектов, приводящих к возникновению глубоких уровней в слоях и объемных кристаллах CdTe.
Поступила в редакцию: 11.12.2012
Принята в печать: 14.12.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 9, Pages 1198–1202
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613090030
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Бабенцов, Ф. Сизов, J. Franc, А. Лученко, Е. Свеженцова, З. Цибрий, “Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция наноструктурированного CdTe”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1210–1214; Semiconductors, 47:9 (2013), 1198–1202
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabSizFra13}
\by В.~Бабенцов, Ф.~Сизов, J.~Franc, А.~Лученко, Е.~Свеженцова, З.~Цибрий
\paper Атомно-силовая микроскопия и фотолюминесценция наноструктурированного CdTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1210--1214
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8012}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319555}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1198--1202
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613090030}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8012
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i9/p1210
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025