Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1215–1220 (Mi phts8013)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания

Р. А. Хабибуллинa, Г. Б. Галиевa, Е. А. Климовa, Д. С. Пономаревa, И. С. Васильевскийb, В. А. Кульбачинскийc, П. Ю. Боковc, Л. П. Авакянцc, А. В. Червяковc, П. П. Мальцевa

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
PDF полного текста (721 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов $\mu_e$ достигается в образце с толщиной барьерного слоя $L_b$ = 11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости $\mu_e$ от глубины залегания квантовой ямы.
Поступила в редакцию: 11.12.2012
Принята в печать: 14.12.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 9, Pages 1203–1208
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261309008X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. А. Хабибуллин, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, И. С. Васильевский, В. А. Кульбачинский, П. Ю. Боков, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, П. П. Мальцев, “Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1215–1220; Semiconductors, 47:9 (2013), 1203–1208
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaGalKli13}
\by Р.~А.~Хабибуллин, Г.~Б.~Галиев, Е.~А.~Климов, Д.~С.~Пономарев, И.~С.~Васильевский, В.~А.~Кульбачинский, П.~Ю.~Боков, Л.~П.~Авакянц, А.~В.~Червяков, П.~П.~Мальцев
\paper Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1215--1220
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8013}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319556}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1203--1208
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261309008X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8013
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i9/p1215
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025