Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1221–1226 (Mi phts8014)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фототок в квантовом канале с примесью

В. А. Маргулис, М. А. Пятаев, С. Н. Ульянов

Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, 430005 Саранск, Россия
PDF полного текста (250 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: С помощью обобщения метода Ландауэра–Бюттикера исследовано влияние электромагнитного излучения на электронный транспорт в квантовом канале, содержащем одиночную короткодействующую примесь. Показано, что при несимметричном расположении рассеивающего центра в системе возникает постоянный фототок. Исследованы зависимости фототока от химического потенциала электронов, положения примеси и частоты излучения.
Поступила в редакцию: 26.11.2012
Принята в печать: 25.12.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 9, Pages 1209–1214
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613090145
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Маргулис, М. А. Пятаев, С. Н. Ульянов, “Фототок в квантовом канале с примесью”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1221–1226; Semiconductors, 47:9 (2013), 1209–1214
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarPyaUly13}
\by В.~А.~Маргулис, М.~А.~Пятаев, С.~Н.~Ульянов
\paper Фототок в квантовом канале с примесью
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1221--1226
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8014}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319557}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1209--1214
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613090145}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8014
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i9/p1221
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025