Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb–InGaAs)/GaAs

Исследованы особенности излучательных характеристик GaAs-гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAs$_{1-x}$Sb$_x$–In$_y$Ga$_{1-y}$As), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. С учетом анализа литературных данных для процесса выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии экспериментально были определены температурный диапазон (560–580$^\circ$C), соотношение потоков источников элементов V и III групп $(\lesssim 1)$ и порядок выращивания слоев для создания активной области лазерной гетероструктуры GaAs/InGaP, представляющей собой двухслойную квантовую яму GaAs$_{0.75}$Sb$_{0.25}$–In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As. Для этой структуры наблюдалось электролюминесцентное излучение на длине волны 1075 нм, связанное с непрямыми переходами между валентной зоной слоя GaAs$_{0.75}$Sb$_{0.25}$ и зоной проводимости слоя In$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As. Увеличение тока непрерывной накачки приводило к падению интенсивности данного излучения и возникновению устойчивой генерации лазерного излучения на прямых в координатном пространстве переходах на длине волны 1022 нм при плотности порогового тока 1.4 кА/см$^2$ при комнатной температуре.