Оптическая ориентация электронов в компенсированных полупроводниках

Представлена теория оптической ориентации носителей заряда в компенсированных полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ и квантовых ямах на их основе в случае возбуждения электронов из состояния заряженного акцептора Mn$^-$ в зону проводимости. Установлено, что в квантовой яме GaAs/AlGaAs степень спиновой ориентации электронов в зоне проводимости при такой схеме возбуждения может достигать 85%. При этом рост степени ориентации не связан с расщеплением уровней за счет размерного квантования, а происходит за счет увеличения вклада тяжелых дырок в состояние акцептора вблизи центра дефекта. Показано, что степень циркулярной поляризации фотолюминесценции при рекомбинации термализованных электронов со дна зоны и дырки в основном состоянии акцептора в квантовой яме может превышать 70%.