Анизотропия электронного $g$-фактора в квантовых ямах на основе кубических полупроводников

Для асимметричных квантовых ям на основе полупроводников типа GaAs предложен новый механизм анизотропии спинового расщепления электронных уровней размерного квантования относительно поворотов магнитного поля в плоскости ямы. Показано, что линейная по магнитному полю анизотропия зеемановского расщепления в асимметричной квантовой яме появляется за счет интерфейсных спин-орбитальных слагаемых в гамильтониане электрона. Для случая симметричной квантовой ямы показано, что анизотропия зеемановского расщепления кубична по величине магнитного поля, зависит как гармоника 4-го порядка от направления магнитного поля и обусловлена спин-орбитальным членом 4-го порядка по кинематическoму импульсу в гамильтониане объемного полупроводника.