Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H

Проведен анализ световой деградации слоя $i$-$\alpha$-Si:H в тандемных фотопреобразователях на основе структур $\alpha$-Si:H/$\mu c$-Si:H с использованием моделей “H-коллизий” и “плавающих” связей, а также их модификаций. Показано, что форма деградационной зависимости хорошо описывается всеми рассмотренными моделями. Оригинальные модели “H-коллизий” и “плавающих связей” в сравнении с модифицированными дают оценки для концентраций свободных связей при насыщении деградации, которые во всех случаях зависят от интенсивности вызвавшего деградацию света. Модифицированная модель “плавающих связей” позволяет исключить такую зависимость, а модифицированная модель “H-коллизий” описывает наличие этой зависимости в одном диапазоне освещенностей и ее отсутствие в другом, что наилучшим образом согласуется с экспериментальными данными.