Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1276–1278 (Mi phts8023)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Свойства пленок кремния, выращенных при разных давлениях в плазмообразующей системе

Д. М. Митинab, А. А. Сердобинцевab

a Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
b Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (182 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Изучено влияние давления рабочего газа на свойства тонких пленок кремния, синтезированных методом магнетронного распыления на постоянном токе. Пленки, полученные при более низких давлениях, отличаются меньшей шероховатостью и меньшим удельным сопротивлением. Качественно это можно объяснить большей длиной свободного пробега частиц в потоке осаждения при меньших давлениях.
Поступила в редакцию: 29.11.2012
Принята в печать: 10.12.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 46, Issue 9, Pages 1264–1266
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613090169
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. М. Митин, А. А. Сердобинцев, “Свойства пленок кремния, выращенных при разных давлениях в плазмообразующей системе”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1276–1278; Semiconductors, 46:9 (2013), 1264–1266
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MitSer13}
\by Д.~М.~Митин, А.~А.~Сердобинцев
\paper Свойства пленок кремния, выращенных при разных давлениях в плазмообразующей системе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 9
\pages 1276--1278
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8023}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319566}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 46
\issue 9
\pages 1264--1266
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613090169}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8023
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i9/p1276
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025