Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10, страницы 1310–1312 (Mi phts8029)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Obtaining of SmS based semiconducting material and investigation of its electrical properties

V. V. Kaminskiia, Shinji Hiraib, Toshihiro Kuzuyab, S. M. Solovieva, N. N. Stepanova, N. V. Sharenkovaa

a Ioffe Institute, St. Petersburg
b Muroran Institute of Technology, 050-8585 Muroran, Hokkaido, Japan
PDF полного текста (181 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Semiconductor samarium monosulfide polycrystals obtained by reaction between samarium trihydride (SmH$_3$) and its sesquisulfide were studied. The temperature, baric and frequency dependences of the resistivity and structural features of the samples were investigated. It is shown that the value of X-ray coherent scattering region is extremely small for SmS samples, 320 $\mathring{\mathrm{A}}$; critical pressure of semiconductor-metal phase transition is higher than in the samples, obtained by other methods, 0.88 GPa; the temperature dependence of the resistivity has metallic behaviour. Hopping mechanism of electron transport was found. All these features are explained by more defective structure of the polycrystalline SmS samples.
Поступила в редакцию: 19.02.2013
Принята в печать: 25.02.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 10, Pages 1298–1300
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613100126
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: V. V. Kaminskii, Shinji Hirai, Toshihiro Kuzuya, S. M. Soloviev, N. N. Stepanov, N. V. Sharenkova, “Obtaining of SmS based semiconducting material and investigation of its electrical properties”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1310–1312; Semiconductors, 47:10 (2013), 1298–1300
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KamHirKuz13}
\by V.~V.~Kaminskii, Shinji~Hirai, Toshihiro~Kuzuya, S.~M.~Soloviev, N.~N.~Stepanov, N.~V.~Sharenkova
\paper Obtaining of SmS based semiconducting material and investigation of its electrical properties
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1310--1312
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8029}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319572}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1298--1300
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613100126}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8029
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i10/p1310
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025