Синхротронные исследования формирования нанокластеров кремния в многослойных наноструктурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/$\dots$/Si(100)

Проведены исследования многослойных нанопериодических структур Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/$\dots$/Si(100) методом спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (XANES). Экспериментальные спектры XANES были получены с использованием синхротронного излучения. Показано формирование нанокластеров кремния в поверхностных слоях структур при их высокотемпературном отжиге. При этом структуры характеризовались интенсивной размерно-зависимой фотолюминесценцией в области длин волн вблизи 800 нм. В то же время показано, что возможно образование алюмосиликатов. Обнаружен эффект обращения интенсивности спектров XANES при взаимодействии синхротронного излучения с многослойными нанопериодическими структурами.