Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10, страницы 1347–1355 (Mi phts8038)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата носителей заряда в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами

Л. В. Данилов, Г. Г. Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (342 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Изучена роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата электронов в глубокую квантовую яму. На примере двух- и трехуровневой квантовых ям были рассмотрены основные механизмы захвата электронов – при взаимодействии с оптическими фононами и кулоновского взаимодействия между собой, рассчитаны соответствующие вероятности захвата и времена жизни электронов. Также было учтено влияние оже-рекомбинации на распределение носителей заряда в квантовой яме. С учетом этого решена система скоростных уравнений для нестационарного режима и найдены временные зависимости концентраций электронов на основном энергетическом уровне в квантовой яме. Показаны вклады каждого из рассмотренных процессов рекомбинации.
Поступила в редакцию: 06.03.2013
Принята в печать: 19.03.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 10, Pages 1336–1345
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613100072
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. В. Данилов, Г. Г. Зегря, “Роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата носителей заряда в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1347–1355; Semiconductors, 47:10 (2013), 1336–1345
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DanZeg13}
\by Л.~В.~Данилов, Г.~Г.~Зегря
\paper Роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата носителей заряда в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1347--1355
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8038}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319581}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1336--1345
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613100072}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8038
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i10/p1347
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025