Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10, страницы 1356–1360 (Mi phts8039)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs

А. И. Хребтовab, В. Г. Талалаевcde, P. Wernere, В. В. Даниловaf, М. В. Артемьевg, Б. В. Новиковcd, И. В. Штромbd, А. С. Панфутоваa, Г. Э. Цырлинbdhi

a Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano, 06120 Halle (Saale), Germany
d Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
e Max Planck Institute of Microstructure Physics, 06120 Halle (Saale), Germany
f Петербургский государственный университет путей сообщения, 191031 Санкт-Петербург, Россия
g Научно-исследовательский институт физико-химических проблем Белорусского государственного университета, г. Минск
h Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
i Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1951 kB) Список цитирования (10)
Аннотация: Показана возможность создания композитной системы на основе коллоидных квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs. С помощью методов электронной микроскопии и спектроскопии фотолюминесценции исследованы ее структурные и излучательные свойства. Хорошая смачиваемость и развитая поверхность массива ННК приводят к росту числа КТ на единицу площади и, как следствие, к увеличению светимости системы в области 600 нм. Обнаружена хорошая температурная стабильность спектра фотолюминесценции квантовых точек в диапазоне 10–295 K. Обсуждается вклад поверхностных состояний в релаксацию энергии и роль экситонных состояний в излучательной рекомбинации квантовых точек.
Поступила в редакцию: 20.03.2013
Принята в печать: 26.03.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 10, Pages 1346–1350
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261310014X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Хребтов, В. Г. Талалаев, P. Werner, В. В. Данилов, М. В. Артемьев, Б. В. Новиков, И. В. Штром, А. С. Панфутова, Г. Э. Цырлин, “Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1356–1360; Semiconductors, 47:10 (2013), 1346–1350
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhrTalWer13}
\by А.~И.~Хребтов, В.~Г.~Талалаев, P.~Werner, В.~В.~Данилов, М.~В.~Артемьев, Б.~В.~Новиков, И.~В.~Штром, А.~С.~Панфутова, Г.~Э.~Цырлин
\paper Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1356--1360
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8039}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319582}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1346--1350
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261310014X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8039
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i10/p1356
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025