Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10, страницы 1367–1370 (Mi phts8041)  
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Изучение электронных свойств пленок гидрогенизированного аморфного кремния методами фемтосекундной спектроскопии

М. Г. Севастьяновa, В. С. Лобковb, А. Г. Шмелевb, А. В. Леонтьевb, В. Л. Матухинa, А. В. Бобыльc, Е. И. Теруковcb, А. В. Кукинcd

a Казанский государственный энергетический университет, 420066 Казань, Россия
b Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
PDF полного текста (856 kB) Английская версия
Аннотация: Представлены результаты экспериментов по измерению методом наведенной дифракционной решетки времени релаксации и коэффициента диффузии электронов в пленках аморфного гидрогенизированного кремния с собственным и электронным типами проводимости при комнатной температуре. Получены значения времени релаксации электронов для этих пленок, равные 1 нс и 465 пс, и коэффициента диффузии 0.54 и 0.83 см$^2$/с. Обнаружено, что при увеличении энергии импульсов время спада сигнала наведенной решетки сокращается.
Поступила в редакцию: 25.02.2013
Принята в печать: 11.03.2013
Английская версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 10, Pages 1358–1361
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613100242
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Г. Севастьянов, В. С. Лобков, А. Г. Шмелев, А. В. Леонтьев, В. Л. Матухин, А. В. Бобыль, Е. И. Теруков, А. В. Кукин, “Изучение электронных свойств пленок гидрогенизированного аморфного кремния методами фемтосекундной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1367–1370; Semiconductors, 47:10 (2013), 1358–1361
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SevLobShm13}
\by М.~Г.~Севастьянов, В.~С.~Лобков, А.~Г.~Шмелев, А.~В.~Леонтьев, В.~Л.~Матухин, А.~В.~Бобыль, Е.~И.~Теруков, А.~В.~Кукин
\paper Изучение электронных свойств пленок гидрогенизированного аморфного кремния методами фемтосекундной спектроскопии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1367--1370
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8041}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319584}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1358--1361
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613100242}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8041
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i10/p1367
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:24
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026