Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10, страницы 1371–1375 (Mi phts8042)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование механизмов взаимодействия NO$_2$ и поверхности слоев нанокомпозита por-Si/SnO$_x$

В. В. Болотов, В. Е. Кан, Р. К. Макушенко, М. Ю. Бирюков, К. Е. Ивлев, В. Е. Росликов

Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 644018 Омск, Россия
PDF полного текста (754 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Методами спектроскопии инфракрасного поглощения и электронного парамагнитного резонанса исследованы механизмы взаимодействия молекул NO$_2$ с поверхностью нанокомпозитов por-Si/SnOx, полученных методами магнетронного напыления и CVD (chemical vapor deposition). Наблюдаемое увеличение концентрации свободных носителей заряда в слоях нанокомпозитов por-Si/SnO$_x$ объясняется изменением зарядового состояния $P_b$-центров за счет образования нейтрального комплекса "поверхностный дефект-адсорбированная молекула NO$_2$" с генерацией свободного носителя заряда в объеме кристаллита. В слоях нанокомпозита, полученного методом CVD, рост концентрации свободных дырок при адсорбции NO$_2$ значительно менее выражен в сравнении с композитом, полученным методом магнетронного напыления, что обусловлено конкурирующим каналом взаимодействия молекул NO$_2$ с электронейтральными $P_b$-центрами.
Поступила в редакцию: 16.01.2013
Принята в печать: 21.01.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 10, Pages 1362–1366
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613100059
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Болотов, В. Е. Кан, Р. К. Макушенко, М. Ю. Бирюков, К. Е. Ивлев, В. Е. Росликов, “Исследование механизмов взаимодействия NO$_2$ и поверхности слоев нанокомпозита por-Si/SnO$_x$”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1371–1375; Semiconductors, 47:10 (2013), 1362–1366
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BolKanMak13}
\by В.~В.~Болотов, В.~Е.~Кан, Р.~К.~Макушенко, М.~Ю.~Бирюков, К.~Е.~Ивлев, В.~Е.~Росликов
\paper Исследование механизмов взаимодействия NO$_2$ и поверхности слоев нанокомпозита \emph{por}-Si/SnO$_x$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1371--1375
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8042}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319585}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1362--1366
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613100059}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8042
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i10/p1371
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025