Фотоэлектрические преобразователи с варизонными слоями на основе ZnSe

В качестве подложки для эпитаксиального выращивания ZnSe используются ориентированные поликристаллические слои CdSe. Для исключения механизма образования структурных дефектов, связанных с рассогласованием постоянных решеток активного эпитаксиального слоя и материала подложки, выращивался промежуточный варизонный слой Cd$_x$Zn$_{1-x}$Se. В такой структуре прорaстание точечных дефектов донорного типа из подложки в наращиваемые слои приводит к образованию низкоомного слоя ZnSe. На ZnSe наносился барьерообразующий слой $p$-Cu$_{1.8}$S. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела поверхностно-барьерного преобразователя $p$-Cu$_{1.8}$S–$n$-ZnSe предложен и реализован вариант дополнительного встраивания тонкого варизонного слоя в область обьемного заряда фотопреобразователя.