Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10, страницы 1396–1399 (Mi phts8047)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек

Н. В. Крыжановскаяabc, А. Е. Жуковabc, А. М. Надточийabc, М. В. Максимовac, Э. И. Моисеевab, М. М. Кулагинаc, А. В. Савельевab, Е. М. Аракчееваac, А. А. Липовскийab, Ф. И. Зубовab, A. Kapsalisd, C. Mesaritakisd, D. Syvridisd, A. Mintairove, D. Livshitsf

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d University of Athens, Athens, Greece 15784
e University of Notre Dame, 275 Fitzpatrick Hall, Notre Dame, IN 46556, USA
f Innolume GmbH, 44263 Dortmund, Deutschland
PDF полного текста (1054 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Созданы микрокольцевые резонаторы (диаметром $D$ = 2.7–7 мкм) с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, и исследованы их характеристики с помощью микрофотолюминесценции и ближнепольной оптической микроскопии. Получено значение добротности 22 000 для микрокольцевого резонатора диаметром $D$ = 6 мкм. В кольцевом микролазере диаметром $D$ = 2.7 мкм при оптической накачке достигнута лазерная генерация вплоть до комнатной температуры.
Поступила в редакцию: 14.02.2013
Принята в печать: 25.02.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 10, Pages 1387–1390
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613100187
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, А. М. Надточий, М. В. Максимов, Э. И. Моисеев, М. М. Кулагина, А. В. Савельев, Е. М. Аракчеева, А. А. Липовский, Ф. И. Зубов, A. Kapsalis, C. Mesaritakis, D. Syvridis, A. Mintairov, D. Livshits, “Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1396–1399; Semiconductors, 47:10 (2013), 1387–1390
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KryZhuNad13}
\by Н.~В.~Крыжановская, А.~Е.~Жуков, А.~М.~Надточий, М.~В.~Максимов, Э.~И.~Моисеев, М.~М.~Кулагина, А.~В.~Савельев, Е.~М.~Аракчеева, А.~А.~Липовский, Ф.~И.~Зубов, A.~Kapsalis, C.~Mesaritakis, D.~Syvridis, A.~Mintairov, D.~Livshits
\paper Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1396--1399
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8047}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319590}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1387--1390
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613100187}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8047
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i10/p1396
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025