Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10, страницы 1406–1413 (Mi phts8049)  
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние динамики носителей заряда и температуры на двухуровневую генерацию в полупроводниковых лазерах на квантовых точках

В. В. Кореневab, А. В. Савельевab, А. Е. Жуковabc, А. В. Омельченкоab, М. В. Максимовabc

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (368 kB) Список цитирования (15)
Аннотация: В аналитическом виде показано, что совокупная динамика носителей заряда в квантовых точках и в материале матрицы оказывает существенное влияние на явление двухуровневой генерации в лазерах на квантовых точках. В частности, учет десинхронизации в захвате электронов и дырок позволяет описать гашение генерации через основной оптический переход квантовых точек при больших мощностях накачки как качественно, так и количественно. В то же время анализ динамики зарядов внутри одиночной квантовой точки позволяет описать температурные зависимости мощности излучения через основной и возбужденный оптические переходы.
Поступила в редакцию: 08.04.2012
Принята в печать: 16.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 10, Pages 1397–1404
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613100151
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Коренев, А. В. Савельев, А. Е. Жуков, А. В. Омельченко, М. В. Максимов, “Влияние динамики носителей заряда и температуры на двухуровневую генерацию в полупроводниковых лазерах на квантовых точках”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1406–1413; Semiconductors, 47:10 (2013), 1397–1404
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KorSavZhu13}
\by В.~В.~Коренев, А.~В.~Савельев, А.~Е.~Жуков, А.~В.~Омельченко, М.~В.~Максимов
\paper Влияние динамики носителей заряда и температуры на двухуровневую генерацию в полупроводниковых лазерах на квантовых точках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1406--1413
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8049}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319592}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1397--1404
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613100151}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8049
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i10/p1406
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025