Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10, страницы 1431–1434 (Mi phts8053)  
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Модели формирования оксидных слоев в наноструктурированных материалах на основе халькогенидов свинца при обработке в парах кислорода и иода

Е. В. Мараева, В. А. Мошников, Ю. М. Таиров

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (437 kB) Список цитирования (13)
Аннотация: На основе экспериментальных результатов по изучению закономерностей формирования наноструктурированных слоев при диффузионном отжиге на ограненных монокристаллах халькогенидов свинца развиты модельные представления об управлении формированием оксидных оболочек в процессе окисления. Представлены данные об изменении состава оксидных фаз при изменении отклонения от стехиометрии в исходном халькогениде свинца. Развиты модельные представления о возможности изменения толщин оксидных фаз оболочек путем применения отжига в иодсодержащей атмосфере. Показано, что отжиг в иодидной атмосфере обеспечивает эффективное проникновение кислорода внутрь зерна, что необходимо для повышения эффективности фотолюминесценции.
Поступила в редакцию: 21.02.2013
Принята в печать: 11.03.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 10, Pages 1422–1425
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613100217
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Мараева, В. А. Мошников, Ю. М. Таиров, “Модели формирования оксидных слоев в наноструктурированных материалах на основе халькогенидов свинца при обработке в парах кислорода и иода”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1431–1434; Semiconductors, 47:10 (2013), 1422–1425
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarMosTai13}
\by Е.~В.~Мараева, В.~А.~Мошников, Ю.~М.~Таиров
\paper Модели формирования оксидных слоев в наноструктурированных материалах на основе халькогенидов свинца при обработке в парах кислорода и иода
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1431--1434
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8053}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319596}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 10
\pages 1422--1425
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613100217}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8053
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i10/p1431
    • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025