Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11, страницы 1441–1445 (Mi phts8055)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

А. В. Андрианов, П. С. Алексеев, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. Л. Щеглов, М. А. Седова, А. О. Захарьин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (428 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Сообщается о результатах исследования генерации когерентного терагерцового излучения при комнатной температуре в условиях межзонного фемтосекундного лазерного фотовозбуждения структур с многочисленными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле. Свойства наблюдаемого терагерцового излучения позволяют связать его с возбуждением переменного во времени дипольного момента, вызванного поляризацией электрическим полем неравновесных электронно-дырочных пар в квантовых ямах. Построена теоретическая модель, учитывающая эффект динамического экранирования электрического поля в квантовой яме неравновесными носителями, которая позволяет описать свойства наблюдаемого терагерцового сигнала.
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 11, Pages 1433–1437
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613110031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Андрианов, П. С. Алексеев, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. Л. Щеглов, М. А. Седова, А. О. Захарьин, “Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1441–1445; Semiconductors, 47:11 (2013), 1433–1437
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndAleKli13}
\by А.~В.~Андрианов, П.~С.~Алексеев, Г.~В.~Климко, С.~В.~Иванов, В.~Л.~Щеглов, М.~А.~Седова, А.~О.~Захарьин
\paper Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1441--1445
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8055}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319598}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1433--1437
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613110031}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8055
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i11/p1441
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025