Эффекты туннелирования в наклонных магнитных полях в структурах $n$-InGaAs/GaAs c двойными сильно-связанными квантовыми ямами

В работе представлены результаты исследования эффектов туннелирования между двумя параллельными двумерными электронными газами в наноструктурах $n$-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами при изменении параллельной компоненты наклонного магнитного поля (до $B_{\parallel}$ = 9.0 Тл) в интервале температур $T$ = 1.8–70.0 K. Из анализа зависимостей продольного сопротивления от параллельной компоненты наклонного магнитного поля при фиксированных температурах $\rho_{xx}(B_{\parallel},T)$ получена немонотонная температурная зависимость обратного квантового времени жизни $\tau_q^{-1}(T)$. Установлено, что квадратичный участок этой зависимости обусловлен вкладом от неупругого электрон-электронного рассеяния. Уменьшение обратного квантового времени жизни $\tau_q^{-1}(T)$ при $T>$ 0.1 $T_{\mathrm{F}}$ известными теориями не описывается и, по-видимому, не связано с процессами релаксации импульса электронов.