Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11, страницы 1462–1466 (Mi phts8059)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001)

А. А. Тонкихab, В. Г. Талалаевc, P. Wernera

a Max Planck Institute of Microstructure Physics, 06120 Halle, Germany
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Martin Luther University Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano, 06120 Halle, Germany
PDF полного текста (534 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Сообщается о синтезе псевдоморфных гетероструктур GeSn на подложке Ge(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии. Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии показывают, что слои GeSn – бездефектные и обладают кубической алмазоподобной структурой. Спектроскопия фотолюминесценции обнаруживает излучательную межзонную рекомбинацию в GeSn-квантовых ямах, идентифицированную как непрямые переходы между подзонами тяжелых электронов и тяжелых дырок. На основании экспериментальных данных и моделирования зонной структуры псевдоморфных соединений GeSn была оценена нижняя граница параметра нелинейности для непрямой запрещенной зоны, $b_L\ge$ 1.47 эВ.
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 11, Pages 1452–1455
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613110225
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Тонких, В. Г. Талалаев, P. Werner, “Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001)”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1462–1466; Semiconductors, 47:11 (2013), 1452–1455
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TonTalWer13}
\by А.~А.~Тонких, В.~Г.~Талалаев, P.~Werner
\paper Псевдоморфные гетероструктуры GeSn/Ge(001)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1462--1466
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8059}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319602}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1452--1455
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613110225}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8059
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i11/p1462
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025