Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11, страницы 1472–1475 (Mi phts8061)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях

С. В. Морозовab, В. В. Румянцевab, К. Е. Кудрявцевa, В. И. Гавриленкоab, Д. В. Козловab

a Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (365 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Исследуется релаксация примесной фотопроводимости в $p$-Si : B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в “греющих” (10–500 В/см) электрических полях. Обнаружено изменение характера зависимости времени релаксации от электрического поля при $E>$ 75 В/см за счет подключения процессов релаксации с испусканием оптического фонона. Зависимость темпов релаксации носителей от интенсивности и длины волны возбуждающего излучения указывает также на наличие долгоживущего возбужденного состояния, играющего роль уровня прилипания при релаксации носителей.
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 11, Pages 1461–1464
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613110146
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Морозов, В. В. Румянцев, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, Д. В. Козлов, “Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1472–1475; Semiconductors, 47:11 (2013), 1461–1464
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorRumKud13}
\by С.~В.~Морозов, В.~В.~Румянцев, К.~Е.~Кудрявцев, В.~И.~Гавриленко, Д.~В.~Козлов
\paper Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1472--1475
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8061}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319604}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1461--1464
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613110146}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8061
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i11/p1472
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025