Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11, страницы 1476–1480 (Mi phts8062)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Метастабильные состояния – возможный механизм аномалий кондактанса мезоскопических структур

В. А. Сабликов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Аннотация: Изучено образование метастабильного состояния в одномерной модели квантового баллистического контакта, в которой контакт представляется в виде потенциального барьера с локализованным в нем межэлектронным взаимодействием. Показано, что когда параметр взаимодействия превышает критическую величину, возникает метастабильное состояние со спонтанной спиновой поляризацией барьера. Разность термодинамических потенциалов метастабильного и глобально устойчивого состояний стремится к нулю в критической точке и поэтому наличие метастабильного состояния проявляется в транспорте уже при низкой температуре и с ростом температуры плавно увеличивается. Основной эффект состоит в понижении проводимости при увеличении температуры, которое происходит в определенном интервале величины потенциала барьерной области, подобном наблюдаемому при образовании известной 0.7 аномалии кондактанса.
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 11, Pages 1465–1469
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613110195
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Сабликов, “Метастабильные состояния – возможный механизм аномалий кондактанса мезоскопических структур”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1476–1480; Semiconductors, 47:11 (2013), 1465–1469
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sab13}
\by В.~А.~Сабликов
\paper Метастабильные состояния -- возможный механизм аномалий кондактанса мезоскопических структур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1476--1480
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8062}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319605}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1465--1469
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613110195}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8062
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i11/p1476
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025