|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11, страницы 1476–1480
(Mi phts8062)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.
Метастабильные состояния – возможный механизм аномалий кондактанса мезоскопических структур
В. А. Сабликов Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
Аннотация:
Изучено образование метастабильного состояния в одномерной модели квантового баллистического контакта, в которой контакт представляется в виде потенциального барьера с локализованным в нем межэлектронным взаимодействием. Показано, что когда параметр взаимодействия превышает критическую величину, возникает метастабильное состояние со спонтанной спиновой поляризацией барьера. Разность термодинамических потенциалов метастабильного и глобально устойчивого состояний стремится к нулю в критической точке и поэтому наличие метастабильного состояния проявляется в транспорте уже при низкой температуре и с ростом температуры плавно увеличивается. Основной эффект состоит в понижении проводимости при увеличении температуры, которое происходит в определенном интервале величины потенциала барьерной области, подобном наблюдаемому при образовании известной 0.7 аномалии кондактанса.
Поступила в редакцию: 22.04.2013 Принята в печать: 30.04.2013
Образец цитирования:
В. А. Сабликов, “Метастабильные состояния – возможный механизм аномалий кондактанса мезоскопических структур”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1476–1480; Semiconductors, 47:11 (2013), 1465–1469
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8062 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i11/p1476
|
|