Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11, страницы 1486–1488 (Mi phts8064)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs

В. Я. Алешкинa, А. А. Афоненкоb, Н. В. Дикарёваc, А. А. Дубиновa, К. Е. Кудрявцевa, С. В. Морозовa, С. М. Некоркинc

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Белорусский государственный университет, г. Минск
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (240 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследован волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в полупроводниковой лазерной структуре на основе GaAs. Показана возможность использования квантовых ям только в качестве волноведущих слоев в лазерной структуре. При достижении величины плотности мощности возбуждения 2 кВт/см$^2$ при температуре жидкого азота наблюдалась суперлюминесценция на длине волны, соответствующей оптическому переходу в объемном GaAs (длина волны 835 нм).
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 11, Pages 1475–1477
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261311002X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, Н. В. Дикарёва, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. В. Морозов, С. М. Некоркин, “Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1486–1488; Semiconductors, 47:11 (2013), 1475–1477
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleAfoDik13}
\by В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Афоненко, Н.~В.~Дикарёва, А.~А.~Дубинов, К.~Е.~Кудрявцев, С.~В.~Морозов, С.~М.~Некоркин
\paper Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1486--1488
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8064}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319607}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1475--1477
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261311002X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8064
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i11/p1486
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025