Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11, страницы 1489–1492 (Mi phts8065)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb

М. С. Каганa, И. В. Алтуховa, А. Н. Барановb, Н. Д. Ильинскаяc, С. К. Папроцкийa, Р. Тесьеb, А. А. Усиковаc

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва
b Institut d'Electronique du Sud, Université Montpellier 2, 34095 Montpellier Cedex 5, France
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (733 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Исследовался вертикальный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/AlSb с гетеропереходами II рода при комнатной температуре. Обнаружено возникновение отрицательной дифференциальной проводимости в режиме минизонной проводимости при перекрытии размерно-квантованных состояний в периодической системе квантовых ям. В режиме нерезонансного туннелирования обнаружено возникновение эквидистантных максимумов на вольт-амперной характеристике этих сверхрешеток, которые связываются с влиянием резонатора на оптические электронные переходы в квантовых ямах (эффект Пёрселла).
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 11, Pages 1478–1480
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613110080
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. С. Каган, И. В. Алтухов, А. Н. Баранов, Н. Д. Ильинская, С. К. Папроцкий, Р. Тесье, А. А. Усикова, “Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1489–1492; Semiconductors, 47:11 (2013), 1478–1480
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KagAltBar13}
\by М.~С.~Каган, И.~В.~Алтухов, А.~Н.~Баранов, Н.~Д.~Ильинская, С.~К.~Папроцкий, Р.~Тесье, А.~А.~Усикова
\paper Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1489--1492
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8065}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319608}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1478--1480
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613110080}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8065
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i11/p1489
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025