Особенности формирования спектров электролюминесценции квантово-размерных кремниевых $p^+$–$n$-гетеропереходов в инфракрасном диапазоне длин волн

Проводится анализ результатов исследований характеристик оптического излучения, возникающего в различных областях сильно легированных бором квантово-размерных кремниевых $p^+$–$n$-гетеропереходов. Полученные результаты позволяют сделать выводы, что электролюминесценция ближнего инфракрасного диапазона возникает вблизи гетерограницы между наноструктурированным широкозонным кремниевым $p^+$-барьером, сильно легированным бором, и кремнием (100) $n$-типа проводимости и что в ее формировании активное участие принимают дипольные центры бора.