Особенности электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми точками InSb в матрице InAs

Изучены электрические и электролюминесцентные свойства одиночной узкозонной гетероструктуры на основе $p$–$n$-перехода в арсениде индия, содержащей одиночный слой квантовых точек InSb в матрице InAs. Наличие квантовых точек существенно влияло на форму обратной ветви вольт-амперных характеристик гетероструктуры. При приложении обратного смещения спектры электролюминесценции гетероструктуры с квантовыми точками при комнатной температуре помимо полосы отрицательной люминесценции с максимумом на длине волны $\lambda$ = 3.5 мкм содержали также полосу излучения положительной люминесценции при 3.8 мкм, которая обусловлена излучательными переходами с участием локализованных состояний квантовых точек на гетерогранице II типа InSb/InAs.