Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11, страницы 1542–1553 (Mi phts8076)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода

В. А. Щукинab, Н. Н. Леденцовab, Л. Я. Карачинскийbcd, С. А. Блохинbd, И. И. Новиковbcd, Н. А. Богословскийb, А. В. Савельевc

a VI Systems GmbH, D-10623 Berlin, Germany
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1713 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Предложена электрооптическая среда на основе полупроводниковой сверхрешетки второго рода. Методом спектроскопии оптического отражения проведены исследования электрооптической модуляции интенсивности оптического отражения электрооптической среды, интегрированной в вертикальный резонатор Фабри–Перо. Полученные экспериментальные данные аппроксимированы с помощью осцилляторной модели экситонного поглощения. Эффективность электрооптической среды при отстройке от пика поглощения на 50 мэВ и электрических полях 0–50 кВ/cм составляет 10$^{-9}$ м/В при коэффициенте заполнения среды 100%.
Поступила в редакцию: 03.04.2013
Принята в печать: 08.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 11, Pages 1528–1538
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613110201
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Щукин, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, С. А. Блохин, И. И. Новиков, Н. А. Богословский, А. В. Савельев, “Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1542–1553; Semiconductors, 47:11 (2013), 1528–1538
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShcLedKar13}
\by В.~А.~Щукин, Н.~Н.~Леденцов, Л.~Я.~Карачинский, С.~А.~Блохин, И.~И.~Новиков, Н.~А.~Богословский, А.~В.~Савельев
\paper Высокоэффективная электрооптическая полупроводниковая среда на основе гетероструктур второго рода
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1542--1553
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8076}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319619}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 11
\pages 1528--1538
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613110201}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8076
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i11/p1542
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025